歷史沿革
年 | 月 | 歷史事件 |
2019 | 5 | 力晶將晶圓廠及相關營業、資產讓與力積電。 |
2018 | 9 | 8B廠啟用。 |
鉅晶電子改名為力積電。 | ||
2017 | 9 | 鉅晶電子700V電源管理晶片量產。 |
7 | 鉅晶電子購入竹南科學園區新日光廠房,並命名為8B廠。 | |
2016 | 6 | 25奈米鋁製程版4Gb DRAM量產。 |
1 | 鉅晶電子0.35微米 Power IC 供應美國IDM大廠。 | |
2015 | 10 | 鉅晶電子8AD篤行廠區量產。 |
8 | 取得美光25奈米鋁製程DRAM技術授權。 | |
7 | 鉅晶電子LV MOSFET供應美國IDM大廠。 | |
2014 | 8 | 55奈米小尺寸 LCD 驅動晶片代工製程量產。 |
7 | 鉅晶電子42V e-label IC量產。 | |
2013 | 8 | 取得美光25奈米DRAM授權。 |
7 | 鉅晶電子500V HV MOSFET供應日本IDM大廠。 | |
6 | 與美商金士頓締結DRAM代工盟約,成功轉型為 專業晶圓代工公司,建立營運新模式。 |
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2012 | 5 | 鉅晶電子0.18微米 Power MOSFET 量產。 |
4 | 90奈米LCD驅動晶片代工製程量產。 | |
2011 | 12 | 40奈米16Gb NAND Flash榮獲第20屆台灣精品獎。 |
1 | 鉅晶電子0.18微米 電源管理晶片量產。 | |
2010 | 12 | 40奈米16Gb MLC 快閃記憶體量產。 |
3 | 鉅晶電子 0.18微米 微處理控制晶片量產。 | |
2009 | 2 | 鉅晶電子0.18微米 LCD顯示驅動晶片量產。 |
2008 | 4 | 8A廠分割為鉅晶電子公司。 |
2007 | 9 | 八吋晶圓廠代工業務投片生產。 |
2006 | 2 | 與瑞薩(Renesas)達成AG-AND快閃記憶體技術授權協議。 |
1 | 購入旺宏十二吋晶圓廠房,並命名為P3廠。 | |
2005 | 3 | P2廠啟用。 |
2004 | 4 | 十二吋晶圓廠代工業務投片生產。 |
2003 | 10 | 第二座十二吋晶圓廠(P2廠)動土。 |
2002 | 11 | P1廠啟用。 |
2000 | 12 | 量產0.18微米 DRAM及DRAM代工服務。 |
7 | 第一座十二吋晶圓廠(P1廠)動土。 | |
1996 | 10 | 0.4微米16Mb DRAM / SDRAM量產。 |
1995 | 3 | 八吋晶圓廠(8A廠)動土。 |
1994 | 12 | 力晶半導體股份有限公司成立。 |