關於力積電 - 公司資訊

歷史沿革

年	月	歷史事件
2019	5	力晶將晶圓廠及相關營業、資產讓與力積電。
2018	9	8B廠啟用。
2018	9	鉅晶電子改名為力積電。
2017	9	鉅晶電子700V電源管理晶片量產。
2017	7	鉅晶電子購入竹南科學園區新日光廠房，並命名為8B廠。
2016	6	25奈米鋁製程版4Gb DRAM量產。
2016	1	鉅晶電子0.35微米 Power IC 供應美國IDM大廠。
2015	10	鉅晶電子8AD篤行廠區量產。
	8	取得美光25奈米鋁製程DRAM技術授權。
	7	鉅晶電子LV MOSFET供應美國IDM大廠。
2014	8	55奈米小尺寸 LCD 驅動晶片代工製程量產。
2014	7	鉅晶電子42V e-label IC量產。
2013	8	取得美光25奈米DRAM授權。
	7	鉅晶電子500V HV MOSFET供應日本IDM大廠。
	6	與美商金士頓締結DRAM代工盟約，成功轉型為專業晶圓代工公司，建立營運新模式。
2012	5	鉅晶電子0.18微米 Power MOSFET 量產。
2012	4	90奈米LCD驅動晶片代工製程量產。
2011	12	40奈米16Gb NAND Flash榮獲第20屆台灣精品獎。
2011	1	鉅晶電子0.18微米電源管理晶片量產。
2010	12	40奈米16Gb MLC 快閃記憶體量產。
2010	3	鉅晶電子 0.18微米微處理控制晶片量產。
2009	2	鉅晶電子0.18微米 LCD顯示驅動晶片量產。
2008	4	8A廠分割為鉅晶電子公司。
2007	9	八吋晶圓廠代工業務投片生產。
2006	2	與瑞薩（Renesas）達成AG-AND快閃記憶體技術授權協議。
2006	1	購入旺宏十二吋晶圓廠房，並命名為P3廠。
2005	3	P2廠啟用。
2004	4	十二吋晶圓廠代工業務投片生產。
2003	10	第二座十二吋晶圓廠（P2廠）動土。
2002	11	P1廠啟用。
2000	12	量產0.18微米 DRAM及DRAM代工服務。
2000	7	第一座十二吋晶圓廠（P1廠）動土。
1996	10	0.4微米16Mb DRAM / SDRAM量產。
1995	3	八吋晶圓廠（8A廠）動土。
1994	12	力晶半導體股份有限公司成立。